SiO2薄膜的刻蚀机理

  CxFy是来自刻蚀气体（如CF₄、CHF₃）解离发生的氟自由基，用于氧化硅的化学刻蚀。

  赤色箭头代表离子轰击，高能离子轰击外表，损坏SiO₂分子的键，为自由基供给更多反响位点，一起起到“方向性”效果，使刻蚀更具各向异性。

  绿色箭头代表氟自由基，即CxFy。Ar离子轰击与化学刻蚀的结合，才干明显提高刻蚀速率。单一的物理或化学机制均不足以完成高效刻蚀。

  中性粒子（自由基）浓度：Ar（+）浓度：当比值较低时，刻蚀速率首要受自由基的浓度约束。在高比值时，Ar离子轰击成为约束要素，刻蚀速率趋于饱满。

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