薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层。化学气相沉积和物理气相沉积是实现的主要方法。
（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。
化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表明产生薄膜。CVD法能制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。
化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，能够获得附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。
4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此能够得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5. 利用调节沉积的参数，可以轻松又有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术能降低沉积温度。
可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。
当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境和温度要求为900 ~ 1200℃。
氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。
氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。
在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基础原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也是通过镀料的气化源。
(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。
物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。
该技术大范围的应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。
生态环境部土壤与农业农村生态环境监管技术中心194.40万元采购ICP-AES,ICP-MS,电热消...
AI汪汪队助力环境监视测定，宇树科技/云深处或成赢家？
哈尔技术亮相2025国际橡塑展，展示桌面式膜片挤出实验线年携手同行，三为与仪信通的信任密码
注重底层技术创新，增大半导体设备国产化比例——访埃芯半导体营销及应用总监黄怡
等离子体刻蚀机、PVD和扫描电镜等创新成果亮相2024清华大学工程博士论坛！
总投资50亿！安徽蚌埠新8寸MEMS晶圆生产线启动，设备采购清单曝光【清单】
半导体缺陷检验测试对工业CT需求上涨，国产三维CT正摆脱进口依赖——访丹东奥龙项目应用总监陈立明
SiC与AI芯片市场爆发，先进封测等技术亟需加速发展——访布鲁克应用经理渠波
