第三章 溅射薄膜制备技能ppt

  现象：对应于低指数晶面的溅射率低，而高指数晶面的溅射率略高于多晶靶材。

  现象：入射离子能量越高，角散布越趋向于余弦散布，但在低能状态下（几千ev）并非如此。欠余弦散布。

  ①溅射原子的角散布并不象热蒸腾原子那样契合余弦规则，从单晶靶溅射出的原子趋向于会集在晶体原子密排方向；

  ②溅射产额不只取决于炮击离子能量，一起也取决于其质量与靶原子质量之比；

  ③溅射产额取决于炮击离子的入射角，当入射角不一起，溅射原子的角散布也不相同；

  当后者取得的能量超越势垒高度后（金属5-10ev），原子→ 离位原子，并进一步和邻近的原子磕碰，发生磕碰级联。