在溅射工艺中，靶材的组成对溅射速率起着决定性的作用。铝钪靶材中钪含量的增加往往伴随着溅射速率的变化，是因为钪的原子半径和质量都明显高于铝，进而影响了溅射过程中靶材原子的脱离速率。
实验多个方面数据显示，当钪含量在0.2wt%至0.5wt%之间时，溅射速率保持相比来说较高且均匀，这与钪在铝基体中的固溶行为相关。随着钪含量的进一步提升（如超过1wt%），由于钪的质量较大和溅射过程中表面能的变化，溅射速率开始下降。此外，钪含量过高时会导致靶材表面晶粒的粗大化，增加了溅射的不均匀性。这种现象使得高钪含量铝钪靶材不适合作为高速溅射的靶材。
由此能得出，钪含量在0.2wt%至0.5wt%之间是较为理想的区间，在此范围内，溅射速率和薄膜沉积速率可保持较高的稳定性，并确保溅射过程中的均匀性。
薄膜的厚度、晶粒结构、表面形貌和粗糙度是决定薄膜质量的重要的条件。钪的加入对这些参数有着显著的影响。
实验发现，钪含量的增加会略微降低薄膜的沉积速率，导致薄膜厚度的减小。然而，这种减小在钪含量低于0.5wt%时并不显著。随着钪含量超过1wt%，薄膜厚度的减小变得明显，主要是由于钪原子的质量较大，导致溅射过程中单位时间内脱离靶材的原子数减少。
钪的加入能够显著细化薄膜的晶粒结构，改善薄膜的力学性能。钪原子在铝基体中作为晶粒细化剂，能够抑制晶粒长大，尤其是在钪含量为0.2wt%至0.4wt%时，这种晶粒细化效果最显著。然而，钪含量过高（1wt%）时，晶粒尺寸的减小效应开始减弱，甚至会出现析出相，导致晶界的复杂化。
钪含量的增加对薄膜表面的平滑度有非消极作用。当钪含量在0.2wt%至0.5wt%时，薄膜的表面形貌更加平整，粗糙度较低。这是因为钪可以有明显效果地抑制表面缺陷的形成，降低表面粗糙度。随着钪含量超过1wt%，由于钪相的析出，薄膜表面慢慢的出现微小的凹坑和不规则结构，表面粗糙度增加。
因此，从薄膜质量的角度来看，钪含量应控制在0.2wt%至0.5wt%之间，以确保最佳的薄膜厚度、细化的晶粒结构和平滑的表面形貌。
在溅射过程中，靶材和等离子体之间的相互作用决定了溅射粒子的能量分布和薄膜的质量。钪的加入会对等离子体的特性产生显著影响。
钪的质量和铝相比要大得多，因此钪原子在溅射过程中会更难以被等离子体加速。这导致钪原子的溅射粒子能量分布更加集中在低能区。钪含量的增加会使靶材表面被等离子体轰击的钪原子占比增加，以此来降低整体的溅射粒子能量分布。这对薄膜的致密性有一定影响，尤其在钪含量超过0.5wt%时，薄膜的密度和致密性开始下降。
钪的原子序数较高，导致在等离子体中钪原子的离化率较铝更高。这种高离化率能够增强溅射过程中等离子体的稳定性，使溅射过程更加均匀。然而，过高的钪含量会导致等离子体中的钪离子过多，影响到铝原子的溅射速率，并可能引发等离子体的不稳定。因此，钪含量的优化需考虑到等离子体的离化平衡。
综上，钪含量应控制在0.2wt%至0.5wt%，在此范围内，等离子体的稳定性和溅射粒子能量分布都能保持在最佳状态，有助于提高薄膜的质量。
在芯片制作的完整过程中，薄膜的电阻率和导电性是决定芯片电学性能的主要的因素。钪含量的变化对这些性能有显著影响。
实验表明，钪含量的增加会导致铝钪薄膜的电阻率略微升高。这是由于钪原子的引入会扰乱铝晶格中的电子传导路径，导致电导率降低。然而，在钪含量为0.2wt%至0.5wt%时，这种电阻率的增加并不显著，并且在某些特定的程度上被薄膜致密性提升所补偿。超过1wt%钪含量时，电阻率的显著上升会对芯片的导电性能产生不利影响。
不同芯片工艺对薄膜电学性能的要求各不相同。在高性能芯片制造中，薄膜的低电阻率至关重要，因此钪含量应控制在较低水平（如0.2wt%）。而在普通消费类芯片中，电阻率的微小增加对性能的影响比较小，因此允许钪含量略高一些。
芯片在高温工作环境下的稳定性取决于薄膜的热膨胀系数、抗热裂纹性以及导热性能。钪含量的增加对这些特性有重要影响。
钪的引入能够降低铝基薄膜的热膨胀系数，这在高温工作环境中有利于减少薄膜与衬底之间的应力，防止热裂纹的产生。当钪含量控制在0.2wt%至0.5wt%之间时，薄膜的热膨胀系数降低效果显著。
随着钪含量的增加，薄膜的抗热裂纹性也得到非常明显提升，这是由于钪细化晶粒的效果。然而，钪含量超过1wt%时，薄膜的导热性开始下降，这是由于钪原子的存在削弱了铝的高导热性。因此，钪含量应在0.2wt%至0.5wt%之间，才能在保持良好导热性能的同时提升抗热裂纹能力。
溅射薄膜的应力和附着力直接影响芯片的稳定性和常规使用的寿命。钪的加入能够显著缓解薄膜中的残余应力，并提高薄膜与衬底的附着力。
钪作为晶粒细化剂能够减少薄膜中的内应力，使薄膜更加均匀地覆盖在衬底上。实验表明，当钪含量在0.2wt%至0.4wt%时，薄膜中的应力水平最低。
钪含量的增加能够增强薄膜与衬底之间的界面结合力，尤其在钪含量为0.2wt%至0.5wt%时，薄膜与衬底的附着力提升最明显。这对于芯片的长期稳定性至关重要。
铝钪靶材中钪含量在0.2wt%至0.5wt%之间最为理想。在此范围内，溅射速率和薄膜质量得到最佳平衡，薄膜的电学性能、耐热性及附着力均表现优异，适用于各种高性能芯片和消费类电子科技类产品的制造。钪含量过高（如超过1wt%）虽能逐渐增强部分力学性能，但对薄膜的电学性能及溅射工艺带来负面影响，因此不建议在常规芯片制造中使用过高钪含量的铝钪靶材。
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